Emitter által stabilizált BJT előfeszítő áramkör

Egy olyan konfigurációt, amelyben egy bipoláris csomópontú tranzisztort vagy egy BJT-t emitteres ellenállással erősítenek annak stabilitásának növelése érdekében a változó környezeti hőmérséklet szempontjából, emitter stabilizált előfeszítő áramkörnek nevezzük a BJT számára.

Már tanulmányoztuk, mi van DC feszültség a tranzisztorokban , most lépjünk előre, és tanuljuk meg, hogyan lehet egy emitteres ellenállást használni a BJT DC előfeszítő hálózat stabilitásának javításához.

Emitter stabilizált előfeszítő áramkör alkalmazása

Az emitteres ellenállás beépítése a BJT egyenáramú előfeszítéséhez kiváló stabilitást eredményez, vagyis az egyenáramú előfeszítő áramok és feszültségek továbbra is közelebb vannak ahhoz a ponthoz, amelyet az áramkör rögzített, figyelembe véve a külső paramétereket, például a hőmérséklet változását, és tranzisztor béta (erősítés),

Az alábbi ábra egy tranzisztoros DC előfeszítő hálózatot mutat, amelynek emitteres ellenállása van egy emitter által stabilizált előfeszítés végrehajtására a BJT meglévő fix előfeszítési konfigurációjánál.

4.17. Ábra BJT előfeszítő áramkör Emitter ellenállással

Beszélgetéseink során a tervezés elemzését úgy kezdjük, hogy először megvizsgáljuk az áramkör bázis-emitter régiója körüli hurkot, majd az eredményeket felhasználjuk az áramkör kollektor-emitter oldala körüli hurok további vizsgálatához.

Bázis-Emitter hurok

Átrajzolhatjuk a fenti báziskibocsátó hurkot a 4.18. Ábrán látható módon, és ha alkalmazzuk Kirchhoff feszültségtörvénye ezen a körön az óramutató járásával megegyező irányban segít a következő egyenlet megszerzésében:

+ Vcc = IBRB - VBE - IERE = 0 ------- (4.15)

Korábbi megbeszéléseinkből tudjuk, hogy: IE = (β + 1) B ------- (4.16)

Az IE értékének az egyenértékben (4.15) való behelyettesítése a következő eredményt adja:

Vcc = IBRB - VBE - (β + 1) IBRE = 0

A kifejezéseket a megfelelő csoportokba sorolva a következőket kapjuk:

Ha az előző fejezeteinkből felidézi, a rögzített torzítási egyenlet a következő formában származik:

Ha összehasonlítjuk ezt a rögzített torzítási egyenletet a (4.17) egyenlettel, akkor az IB jelenlegi egyenletének egyetlen különbsége a kifejezés (β + 1) RE.

Ha a 4.17 egyenletet használjuk sorozatalapú konfiguráció megrajzolásához, akkor érdekes eredményt tudunk kinyerni, amely valójában hasonló a 4.17 egyenlethez.

Vegyük a következő hálózat példáját a 4.19. Ábrán:

Ha megoldjuk az IB jelenlegi rendszerét, akkor az Eq-ben kapott egyenletet kapjuk. 4.17. Figyelje meg, hogy a bázistól az emitterig terjedő VBE feszültség mellett az RE ellenállás ismét láthatóan megjelenhet az alapáramkör bemeneténél egy szinttel (β + 1).

Ez azt jelenti, hogy az emitteres ellenállás, amely a kollektor-emitter hurok részét képezi, a következőképpen jelenik meg: (β + 1) RE az alap-emitter hurokban.

Feltételezve, hogy a legtöbb BJT esetén a β többnyire 50 fölött lehet, a tranzisztorok emitterén található ellenállás lényegesen nagyobb lehet az alapáramkörben. Ezért a következő általános egyenletet levezethetjük a 4.20. Ábrára:

Ri = (β + 1) RE ------ (4.18)

Ezt az egyenletet nagyon hasznosnak találja, miközben sok jövőbeni hálózatot megold. Valójában ez az egyenlet megkönnyíti a 4.17 egyenlet memorizálását.

Ohm törvénye szerint tudjuk, hogy a hálózaton keresztüli áram a feszültség elosztva az áramkör ellenállásával.
A bázis-emitter kialakításának feszültsége = Vcc - VBE

A 4.17-ben látható ellenállások RB + RE , ami úgy tükröződik (β + 1), és az eredmény megegyezik a 4.17.

Gyűjtő – Emitter hurok

A fenti ábra mutatja a kollektor-emitter hurok alkalmazását Kirchhoff törvénye a jelzett hurokhoz az óramutató járásával megegyező irányban a következő egyenletet kapjuk:

+ YESTERDAY + TE VAGY + ICRC - VCC = 0

Praktikus példa megoldása az emitter stabilizált előfeszítő áramkörre az alábbiak szerint:



A fenti 4.22. Ábrán megadott emitter-torzító hálózat esetében értékelje a következőket:

1. IB
2. IC
3. TE VAGY
4. U
5. ÉS
6. STB
7. VBC

Telítettségi szint meghatározása

A kollektor maximális kollektorárama telítettségi szint mivel az emitter-torzítási hálózat kiszámítható a korábban alkalmazott stratégiánk alkalmazásával fix torzítású áramkör .

Megvalósulhat rövidzárlat létrehozásával a BJT kollektorán és emittervezetékén, a fenti 4.23. Ábra szerint, majd a kapott képletáramot a következő képlet segítségével értékelhetjük:

Példa a telítési áram megoldására egy emitteres stabilizált BJT áramkörben:

Terhelési vonal elemzése

Az emitter-torzítású BJT áramkör terhelés-analízise meglehetősen hasonló a korábban tárgyalt fix-torzítású konfigurációnkhoz.

Az egyetlen különbség, hogy az IB szint [az egyenletünkből származik (4.17)] meghatározza az IB szintjét a jellemzőkön, amint azt a következő 4.24. Ábra mutatja (IBQ néven jelölve).